Транзистор FD200R12KE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
транзистор IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
| Упаковка | Cardboard - коробка |
| Мин.отпуск (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Brand: Infineon Technologies Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V Configuration: Single Continuous Collector Current at 25 C: 295 A Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10 Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Manufacturer: Infineon Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: +125 C Minimum Operating Temperature: -40 C Mounting Style: Chassis Mount Package / Case: IS5a(62 mm)-5 Packaging: Tray Part # Aliases: SP000083495 FD200R12KE3HOSA1 Pd - Power Dissipation: 1050 W Product Category: IGBT Modules Product Type: IGBT Modules Product: IGBT Silicon Modules Series: Chopper IGBT3-E3 Subcategory: IGBTs Вес, г 340.2 |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор BSM50GP120
BSM50GP120 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
8 838,99 ₽