Транзистор FD200R12KE3

Нажмите на изображение для просмотра

Упаковка	Cardboard - коробка
Продажа от (шт)	1
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Brand: Infineon Technologies Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V Configuration: Single Continuous Collector Current at 25 C: 295 A Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10 Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Manufacturer: Infineon Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: +125 C Minimum Operating Temperature: -40 C Mounting Style: Chassis Mount Package / Case: IS5a(62 mm)-5 Packaging: Tray Part # Aliases: SP000083495 FD200R12KE3HOSA1 Pd - Power Dissipation: 1050 W Product Category: IGBT Modules Product Type: IGBT Modules Product: IGBT Silicon Modules Series: Chopper IGBT3-E3 Subcategory: IGBTs Вес, г 340.2
Производитель	Infineon Technologies (IR)

транзистор IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.