Транзистор FD200R12KE3
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Cardboard - коробка |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Brand: Infineon Technologies Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V Configuration: Single Continuous Collector Current at 25 C: 295 A Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10 Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Manufacturer: Infineon Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: +125 C Minimum Operating Temperature: -40 C Mounting Style: Chassis Mount Package / Case: IS5a(62 mm)-5 Packaging: Tray Part # Aliases: SP000083495 FD200R12KE3HOSA1 Pd - Power Dissipation: 1050 W Product Category: IGBT Modules Product Type: IGBT Modules Product: IGBT Silicon Modules Series: Chopper IGBT3-E3 Subcategory: IGBTs Вес, г 340.2 |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
транзистор IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
276,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 788,99 ₽