Модуль FF1000R17IE4

Модуль FF1000R17IE4
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Нет в наличии
Цена по запросу

Категории: Модули, источники питания

УпаковкаTray (Pallete) - паллет, поддон
Продажа от (шт)10
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеПродукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Dual Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.45 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 1390 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 6.25 kW Упаковка / блок: PRIME3 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tray
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.