Модуль FF450R12KT4HOSA1
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
| Мин.отпуск (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Корпус AG-62MMHB Channel Type N Collector Current (DC) 580(A) Collector-Emitter Voltage 1200(V) Configuration Dual Gate to Emitter Voltage (Max) '±20(V) Mounting Screw Operating Temperature (Max) 150C Operating Temperature (Min) -40C Operating Temperature Classification Automotive Package Type 62MM-1 Packaging Tray Pin Count 7 Rad Hardened No Вес, г 340 |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FS820R08A6P2LB
FS820R08A6P2LB промышленности модуль sixpack IGBT EDT 2 в корпусе привода Hybrid PACK™ для применения в автомобилях напряжением до 750В и 820А, производитель: INFINEON
30 125,99 ₽
Модуль FS35R12KT3BOSA1
FS35R12KT3BOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
30 562,99 ₽