Модуль FP50R12KE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Мин.отпуск (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Brand Infineon Technologies Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V Configuration Hex Continuous Collector Current at 25 C 75 A Factory Pack Quantity 10 Gate-Emitter Leakage Current 400 nA Height 17 mm Length 122 mm Manufacturer Infineon Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V Maximum Operating Temperature +125 C Minimum Operating Temperature -40 C Mounting Style Screw Package / Case EconoPIM3 Packaging Bulk Part # Aliases FP50R12KE3BOSA1 SP000101740 Pd - Power Dissipation 270 W Product IGBT Silicon Modules Product Category IGBT Modules RoHS Details Unit Weight 10.582189 oz Width 62 mm Pd - рассеивание мощности 270 W Вид монтажа Chassis Mount Высота 17 mm Длина 122 mm Другие названия товара № FP50R12KE3BOSA1 SP000101740 Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат Конфигурация Hex Максимальная рабочая температура + 125 C Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура 40 C Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Подкатегория IGBTs Продукт IGBT Silicon Modules Размер фабричной упаковки 10 Тип продукта IGBT Modules Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA Торговая марка Infineon Technologies Упаковка Tray Упаковка / блок EconoPIM3 Ширина 62 mm Вес, г 341 |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
10 141,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
10 141,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 934,99 ₽