Модуль FP50R12KT4
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Мин.отпуск (шт) | 1 |
| Вес | 180 г |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт IGBT Silicon Modules Вид монтажа Chassis Mount Упаковка Tray Вес изделия 180 g ECCN EAR99 Минимальная рабочая температура 40 C Максимальная рабочая температура + 150 C Длина 107.5 mm Ширина 45 mm Высота 17 mm Упаковка / блок Econo 3 Конфигурация 3-Phase Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Pd - рассеивание мощности 280 W Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.25 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 751,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 954,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 954,99 ₽