Модуль FP75R12KT3
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A
| Упаковка | Tray (Pallete) - паллет |
| Мин.отпуск (шт) | 1 |
| Вес | 0.3 кг |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 105 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 355 W Упаковка / блок: Econo 3 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Упаковка: Tray Высота: 17 mm Длина: 122 mm |
| Производитель(бренд) | Infineon (International Rectifier) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
8 911,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 096,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 096,99 ₽
Модуль BSM150GB120DN2
BSM1506B120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
9 096,99 ₽
Модуль BSM15GD120DN2E3224
BSM15GD120DN2E3224 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A
9 108,99 ₽