Модуль FZ1200R12KL4C
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
| Информация | End of Life: Изделие признано устаревшим и будет снято с производства |
| Мин.отпуск (шт) | 2 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Dual Common Emitter Common Gate Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 1900 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 7.8 kW Упаковка / блок: IHM130 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Упаковка: Tray Высота: 38 mm Длина: 140 mm |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FS35R12KT3BOSA1
FS35R12KT3BOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
31 967,99 ₽