Модуль FZ900R12KE4
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 900A
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 900 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 4300 W Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tray |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FF200R12KT4
FF200R12KT4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A
11 518,99 ₽
Модуль FP50R12KT3
FP50R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
10 521,99 ₽
Модуль FP50R12KE3
FP50R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
10 057,99 ₽
Модуль FP75R12KT3
FP75R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A
12 847,99 ₽