Транзистор IPB025N10N3G
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Продажа от (шт) | 5 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Brand: Infineon Technologies Channel Mode: Enhancement Configuration: Single Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000 Fall Time: 28 ns Forward Transconductance - Min: 100 S Id - Continuous Drain Current: 180 A Manufacturer: Infineon Maximum Operating Temperature: +175 C Minimum Operating Temperature: -55 C Mounting Style: SMD/SMT Number of Channels: 1 Channel Package / Case: TO-263-7 Packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Part # Aliases: SP000469888 IPB25N1N3GXT IPB025N10N3GATMA1 Pd - Power Dissipation: 300 W Product Category: MOSFET Product Type: MOSFET Qg - Gate Charge: 206 nC Rds On - Drain-Source Resistance: 2 mOhms Rise Time: 58 ns Series: OptiMOS 3 Subcategory: MOSFETs Technology: Si Tradename: OptiMOS Transistor Polarity: N-Channel Transistor Type: 1 N-Channel Type: OptiMOS 3 Power-Transistor Typical Turn-Off Delay Time: 84 ns Typical Turn-On Delay Time: 34 ns Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Вес, г 1.6 |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
IPB025N10N3 G, транзистор MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор IHW30N160R2
IHW30N160R2 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
561,99 ₽