Транзистор IPB600N25N3G
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
MOSFET N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3
| Мин.отпуск (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Brand: Infineon Technologies Channel Mode: Enhancement Configuration: Single Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000 Fall Time: 8 ns Forward Transconductance - Min: 24 S Id - Continuous Drain Current: 25 A Manufacturer: Infineon Maximum Operating Temperature: +175 C Minimum Operating Temperature: -55 C Mounting Style: SMD/SMT Number of Channels: 1 Channel Package / Case: TO-263-3 Packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Part # Aliases: IPB6N25N3GXT SP000676408 IPB600N25N3GATMA1 Pd - Power Dissipation: 136 W Product Category: MOSFET Product Type: MOSFET Qg - Gate Charge: 29 nC Rds On - Drain-Source Resistance: 51 mOhms Rise Time: 10 ns Series: OptiMOS 3 Subcategory: MOSFETs Technology: Si Tradename: OptiMOS Transistor Polarity: N-Channel Transistor Type: 1 N-Channel Type: OptiMOS 3 Power-Transistor Typical Turn-Off Delay Time: 22 ns Typical Turn-On Delay Time: 10 ns Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Вес, г 1.63 |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.