Транзистор IRF3205ZS
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Cut Tape - отрезная лента |
| Тип корпуса | TO-263(D2PAK) |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Product Category MOSFET Manufacturer Infineon RoHS Details Technology Si Mounting Style SMDSMT Package Case TO-263-3 Number of Channels 1 Channel Transistor Polarity N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V Id - Continuous Drain Current 110 A Rds On - Drain-Source Resistance 6.5 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Vgs - Gate-Source Voltage 20 V Qg - Gate Charge 76 nC Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C Configuration Single Brand Infineon Technologies Fall Time 67 ns Forward Transconductance - Min 71 S Height 4.4 mm Length 10 mm Pd - Power Dissipation 170 W Rise Time 95 ns Factory Pack Quantity 800 Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 45 ns Typical Turn-On Delay Time 18 ns Width 9.25 mm |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор AUIRF1010ZS
AUIRF1010ZS MOSFET транзистор N-Channel, 55В, 7.5 мОм, 63 нКл, 94А, D2Pak (TO-263)
196,99 ₽
Транзистор AUIRFB4410
AUIRFB4410 MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 10 мОм, 120 нКл, TO-220AB
195,99 ₽