Транзистор IRF3205ZS
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Cut Tape - отрезная лента |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Product Category MOSFET Manufacturer Infineon RoHS Details Technology Si Mounting Style SMDSMT Package Case TO-263-3 Number of Channels 1 Channel Transistor Polarity N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V Id - Continuous Drain Current 110 A Rds On - Drain-Source Resistance 6.5 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Vgs - Gate-Source Voltage 20 V Qg - Gate Charge 76 nC Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C Configuration Single Brand Infineon Technologies Fall Time 67 ns Forward Transconductance - Min 71 S Height 4.4 mm Length 10 mm Pd - Power Dissipation 170 W Rise Time 95 ns Factory Pack Quantity 800 Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 45 ns Typical Turn-On Delay Time 18 ns Width 9.25 mm |
| Поставщик | CHINA |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
272,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 713,99 ₽