Транзистор IRF9310PbF
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | КорпусSOIC-8 Нормоупаковка95 шт. Тип упаковкиTube (туба) Вес нетто0.25 г Напряжение исток-сток макс.30 В Ток стока макс.20 А Сопротивление открытого канала4.6 мОм Мощность макс.2.5 Вт Тип транзистораMOSFET P-канальный, металл-оксид ОсобенностиС логическим управлением Пороговое напряжение включения макс.2.4 В Заряд затвора165 нКл Входная емкость5250 пФ Тип монтажаПоверхностный |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 20 А, 2.5 Вт
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
276,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 779,99 ₽