Транзистор IRFD9220
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
МОП-транзистор 200V P-CH HEXFET МОП-транзистор
| Мин.отпуск (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Id - непрерывный ток утечки 560 mA Pd - рассеивание мощности 1 W Qg - заряд затвора 15 nC Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.5 Ohms Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V Вид монтажа Through Hole Канальный режим Enhancement Категория продукта МОП-транзистор Количество каналов 1 Channel Конфигурация Single Максимальная рабочая температура + 150 C Минимальная рабочая температура 55 C Подкатегория MOSFETs Полярность транзистора P-Channel Размер фабричной упаковки 2500 Серия IRFD Технология Si Тип продукта MOSFET Торговая марка Vishay / Siliconix Упаковка Tube Упаковка / блок DIP-4 Automotive No Channel Mode Enhancement Channel Type P Configuration Single Dual Drain ECCN (US) EAR99 EU RoHS Compliant Lead Shape Through Hole Maximum Continuous Drain Current (A) 0.56 Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 1500 10V Maximum Drain Source Voltage (V) 200 Maximum Gate Source Voltage (V) ±20 Maximum Operating Temperature (°C) 150 Maximum Power Dissipation (mW) 1000 Minimum Operating Temperature (°C) -55 Mounting Through Hole Number of Elements per Chip 1 Part Status Active PCB changed 4 Pin Count 4 PPAP No Product Category Power MOSFET Standard Package Name DIP Supplier Package HVMDIP Typical Fall Time (ns) 19 Typical Gate Charge @ 10V (nC) 15(Max) Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 15(Max)10V Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 340 25V Typical Rise Time (ns) 27 Typical Turn-Off Delay Time (ns) 7.3 Typical Turn-On Delay Time (ns) 8.8 |
| Производитель(бренд) | Vishay |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.