Транзистор IRFR5305TR
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
МОП-транзистор 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
| Упаковка | Tape - лента |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
| Мин.отпуск (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Количество каналов: 1 Channel Полярность транзистора: P-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 55 V Id - непрерывный ток утечки: 31 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 65 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V Qg - заряд затвора: 42 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 110 W Конфигурация: Single Канальный режим: Enhancement Высота: 2.3 mm Длина: 6.5 mm Тип транзистора: 1 P-Channel Тип: HEXFET Power MOSFET Ширина: 6.22 mm Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 8 S CNHTS: 8541210000 Время спада: 63 ns Код HTS: 8541290095 MXHTS: 85412999 Тип продукта: MOSFET Время нарастания: 66 ns Размер фабричной упаковки: 2000 Подкатегория: MOSFETs TARIC (Единый тариф ЕЭС): 8541290000 Типичное время задержки выключения: 39 ns Типичное время задержки при включении: 14 ns Другие названия товара №: SP001557082 |
| Производитель(бренд) | Infineon (International Rectifier) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.