Микросхема R1WV6416RSA-7SI
Категории: Микросхемы
| Упаковка | Tray (Pallete) - паллет, поддон |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Вес | 0.5 г |
| Срок поставки | Под заказ |
| Поставщик | CHINA |
| Производитель | Renesas/IDT/Intersil |
R1WV6416RSA-7SI микросхемы памяти Renesas, в корпусе TSOP (48-pin), статическая оперативная память (SRAM) с низким энергопотреблением, предназначенная для устройств с батарейным питанием
Основные технические параметры
- Согласно спецификациям производителя Renesas Electronics, чип обладает следующими характеристиками:
- Тип памяти: Advanced Low Power SRAM (LPSRAM).
- Объем: 64 Мбит (организация 4M x 16 бит или 8M x 8 бит).
- Время доступа: 55 нс.
- Напряжение питания: от 2,7 В до 3,6 В.
- Рабочая температура: от –40°C до +85°C (индустриальное исполнение «I»).
- Ток в режиме ожидания: Типовое значение 1,2 мкА. Физические характеристики
- Тип корпуса: 48-pin TSOP (Type I).
- Габариты: 12 x 18,4 x 1,2 мм (Ширина x Длина x Высота).
- Материал выводов: Медно-оловянное покрытие (Sn-Cu) на базе железо-никелевого сплава.
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Микросхема HMC412BMS8GETR
HMC412BMS8GETR РЧ-микшер HMC412BMS8GE DBL-BAL Mixer SMT, 9 - 15 GHz
47 955,99 ₽
Микросхема xcr3256xl-7TQ144I
XCR3256XL-7TQ144I микросхема интегральная электронная в корпусе TQFP-144, производитель Xilinx Inc.
Цена по запросу
Микросхема K4S641632K-uc75
K4S641632K-UC75 микросхема синхронной динамической памяти (SDRAM) производства Samsung.
470,99 ₽
Микросхема MAХ6394US310D2+T
MAХ6394US310D2+T Супервизор питания: пороговое напряжение 3,003 В, корпус TO-253-4, TO-253AA, поверхностный монтаж (SMD), рабочая температура -40…125 °C (TA)
323,99 ₽