Транзистор SI1317DL-T1-GE3
Категории: Транзисторы
| Упаковка | Tape - лента |
| Тип корпуса | SOT-323-3 |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Производитель | Vishay |
компактный P-канальный силовой МОП-транзистор (MOSFET) от компании Vishay Siliconix, выполненный по технологии TrenchFET, предназначен для использования в качестве переключателя нагрузки и в DC/DC преобразователях в портативной электроникe
Основные характеристики
- Тип канала: P-канальный.
- Напряжение сток-исток (Vds): -20 В.
- Напряжение затвор-исток (Vgs): ±8 В.
- Ток стока (Id): до -1.4 А (непрерывный при 25 °C).
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds on): 150 мОм.
- Рассеиваемая мощность (Pd): от 0.3 Вт до 0.5 Вт в зависимости от условий монтажа.
- Корпус: SOT-323 (также обозначается как SC-70-3).
- Рабочая температура: от -50 °C до +150 °C
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.2 А, 0,9Вт Купить с наличия в Санкт-Петербурге, в розницу, оптом, запросить цену, уточнить остаток на складе, получить оптовую цену на партию у АН-ЧИП в Санкт-Петербурге проще простого! Осуществляем доставку по всей России!
26,99 ₽
Транзистор SI2333-T1-E3
SI2333-T1-E3 Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V (ds) and are 100% tested gate resistance(R g ). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55 C to 150 C junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
23,99 ₽