Транзистор SI2303CDS-T1-GE3

Нажмите на изображение для просмотра

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The SI2303CDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Мин.отпуск (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Transistor Mounting Surface Mount Количество Выводов 3вывод(-ов) Максимальная Рабочая Температура 150 C Напряжение Измерения Rds(on) 10В Напряжение Истока-стока Vds 30В Непрерывный Ток Стока 2.7А Полярность Транзистора P Канал Пороговое Напряжение Vgs 3В Рассеиваемая Мощность 2.3Вт Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.158Ом Стиль Корпуса Транзистора SOT-23 Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный Максимальный непрерывный ток стока 1.9 A Тип корпуса SOT-23 Максимальное рассеяние мощности 1 Вт Тип монтажа Surface Mount Ширина 1.4мм Высота 1.02мм Размеры 3.04 x 1.4 x 1.02мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 3.04мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 36 ns Производитель Vishay Типичное время задержки выключения 12 ns Минимальная рабочая температура -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage 1V Максимальное сопротивление сток-исток 190 мΩ Максимальное напряжение сток-исток 30 V Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 2 нКл при 4,5 В, 4 нКл при 10 В Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 155 пФ при 15 В Тип канала A, P Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В Brand Vishay/Siliconix Channel Mode Enhancement Configuration Single Factory Pack Quantity 3000 Fall Time 8 ns Forward Transconductance - Min 2 S Id - Continuous Drain Current 2.7 A Manufacturer Vishay Maximum Operating Temperature +150 C Minimum Operating Temperature -55 C Mounting Style SMD/SMT Number Of Channels 1 Channel Package / Case SOT-23-3 Packaging Cut Tape or Reel Part # Aliases SI2303BDS-T1-E3-S Pd - Power Dissipation 2.3 W Product Category MOSFET Product Type MOSFET Qg - Gate Charge 4 nC Rds On - Drain-Source Resistance 190 mOhms Rise Time 11 ns Series SI2 Subcategory MOSFETs Technology Si Tradename TrenchFET Transistor Polarity P-Channel Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 11 ns Typical Turn-On Delay Time 4 ns Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Vgs - Gate-Source Voltage 10 V Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Вес, г 0.41
Производитель(бренд)	Vishay

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

- по счету от юридического лица с НДС

- от физического лица переводом на карту.