Транзистор SI2308BDS-T1-E3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Тип корпуса | SOT-23-3 |
| Продажа от (шт) | 3 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V Id - непрерывный ток утечки: 2.3 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 156 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1 V Qg - заряд затвора: 6.8 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: 1.66 W Канальный режим: Enhancement |
| Производитель | Vishay |
МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs SOT-23
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор SI7998DP-T1-GE3
SI7998DP-T1-GE3 Herst.- Nr.: SI7998DP-T1-GE3 · Herst.: Vishay Semiconductors · Beschreibung: MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 · Datenblatt: SI7998DP-T1-GE3 Datenblatt
371,99 ₽