Транзистор SI2318CDS-T1-GE3
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Производитель | Vishay |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор SI2333-T1-E3
SI2333-T1-E3 Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V (ds) and are 100% tested gate resistance(R g ). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55 C to 150 C junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
23,99 ₽
Транзистор SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3 компактный P-канальный силовой МОП-транзистор (MOSFET) от компании Vishay Siliconix, выполненный по технологии TrenchFET, предназначен для использования в качестве переключателя нагрузки и в DC/DC преобразователях в портативной электроникe
25,99 ₽