Транзистор SI2325DS-T1-E3
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Тип корпуса | SOT-23-3 |
| Продажа от (шт) | 1000 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Id - непрерывный ток утечки 690 mA Pd - рассеивание мощности 1.25 W Qg - заряд затвора 12 nC Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.2 Ohms Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V Вид монтажа SMD/SMT Время нарастания 11 ns Время спада 11 ns Другие названия товара № SI2325DS-E3 Канальный режим Enhancement Категория продукта МОП-транзистор Количество каналов 1 Channel Коммерческое обозначение TrenchFET Конфигурация Single Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2.2 S Максимальная рабочая температура + 150 C Минимальная рабочая температура 55 C Подкатегория MOSFETs Полярность транзистора P-Channel Размер фабричной упаковки 3000 Серия SI2 Технология Si Тип продукта MOSFET Тип транзистора 1 P-Channel Типичное время задержки выключения 16 ns Типичное время задержки при включении 7 ns Торговая марка Vishay Semiconductors Упаковка / блок SOT-23-3 Вес, г 0.05 |
| Производитель | Vishay |
SI2325DS-T1-E3, Транзистор MOSFET P-CH 150В 0.53A [SOT-23-3]
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.2 А, 0,9Вт Купить с наличия в Санкт-Петербурге, в розницу, оптом, запросить цену, уточнить остаток на складе, получить оптовую цену на партию у АН-ЧИП в Санкт-Петербурге проще простого! Осуществляем доставку по всей России!
26,99 ₽
Транзистор SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3 компактный P-канальный силовой МОП-транзистор (MOSFET) от компании Vishay Siliconix, выполненный по технологии TrenchFET, предназначен для использования в качестве переключателя нагрузки и в DC/DC преобразователях в портативной электроникe
25,99 ₽
Транзистор SI2333-T1-E3
SI2333-T1-E3 Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V (ds) and are 100% tested gate resistance(R g ). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55 C to 150 C junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
23,99 ₽