Транзистор SIR871DP-T1-GE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Информация | Active (Part Status) - Активная |
| Тип корпуса | PowerPAK-SO-8 |
| Продажа от (шт) | 5 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: PowerPAK-SO-8 Полярность транзистора: P-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V Id - непрерывный ток утечки: 48 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 28 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.2 V Qg - заряд затвора: 90 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Pd - рассеивание мощности: 69 W Канальный режим: Enhancement Коммерческое обозначение: TrenchFET, PowerPAK Конфигурация: Single Высота: 1.04 mm Длина: 6.15 mm Серия: SIR Ширина: 5.15 mm Торговая марка: Vishay / Siliconix Тип продукта: MOSFET Размер фабричной упаковки: 3000 Подкатегория: MOSFETs |
| Производитель | Vishay |
МОП-транзистор -100V Vds 20V Vgs SO-8
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор SI7998DP-T1-GE3
SI7998DP-T1-GE3 Herst.- Nr.: SI7998DP-T1-GE3 · Herst.: Vishay Semiconductors · Beschreibung: MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 · Datenblatt: SI7998DP-T1-GE3 Datenblatt
371,99 ₽