Транзистор SiRA18DP-T1-GE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Тип корпуса | PowerPAK-SO-8 |
| Мин.отпуск (шт) | 5 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Количество каналов: 1 Channel Полярность транзистора: N-Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V Id - непрерывный ток утечки: 33 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 6 mOhms Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.2 V Vgs - напряжение затвор-исток: - 16 V, 20 V Qg - заряд затвора: 21.5 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Конфигурация: Single Pd - рассеивание мощности: 14.7 W Канальный режим: Enhancement Коммерческое обозначение: TrenchFET Высота: 1.04 mm Длина: 6.15 mm Серия: SIR Тип транзистора: 1 N-Channel Ширина: 5.15 mm Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 54 S Время спада: 5 ns Тип продукта: MOSFET Время нарастания: 9 ns Подкатегория: MOSFETs Типичное время задержки выключения: 15 ns Типичное время задержки при включении: 11 ns |
| Производитель(бренд) | Vishay |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.