Транзистор SIS434DN-T1-GE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Тип корпуса | PowerPAK-1212-8 |
| Мин.отпуск (шт) | 5 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Product Category: MOSFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package/Case: PowerPAK-1212-8 Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Id - Continuous Drain Current: 35 A Rds On - Drain-Source Resistance: 6.3 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 40 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Configuration: Single Pd - Power Dissipation: 52 W Channel Mode: Enhancement Tradename: TrenchFET Packaging: Cut Tape Packaging: MouseReel Packaging: Reel Height: 1.04 mm Length: 3.3 mm Series: SIS Transistor Type: 1 N-Channel Width: 3.3 mm Brand: Vishay / Siliconix Forward Transconductance - Min: 60 S Fall Time: 12 ns Rise Time: 15 ns Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 25 ns Typical Turn-On Delay Time: 20 ns Part # Aliases: SIS434DN-GE3 |
| Производитель(бренд) | Vishay |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.