Транзистор SMBT2222A
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Тип корпуса | SOT-23-3 |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Вид монтажа: SMD/SMT Полярность транзистора: NPN Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 75 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1 V Pd - рассеивание мощности: 330 mW Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 300 MHz Минимальная рабочая температура: - 65 C Максимальная рабочая температура: + 150 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор IPP230N06L3
IPP230N06L3 Power Field-Effect Transistor, 30A, 60V, 0.023ohm, N-Channel, MOSFET
28,99 ₽