Транзистор SMBT2222A
Категории: Полупроводники, Транзисторы
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Вид монтажа: SMD/SMT Полярность транзистора: NPN Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 75 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1 V Pd - рассеивание мощности: 330 mW Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 300 MHz Минимальная рабочая температура: - 65 C Максимальная рабочая температура: + 150 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Биполярные транзисторы - BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Транзистор 2SB778
2SB778 Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-120В, Vcbo=-120В, Pd=80Вт, hFE= 55…160 [TO-3PF]
276,99 ₽
Транзистор MG200HF12TLC2
MG200HF12TLC2 это мощный промышленный полумостовой IGBT-модуль (на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором), выпускаемый крупными полупроводниковыми производителями, такими как Yangzhou Yangjie Electronic (YJ) и SUNCO.Данный модуль сконструирован по современной технологии Trench Field-Stop, которая минимизирует потери энергии и тепла, и предназначен для жестких режимов работы в инверторах приводов электродвигателей, источниках бесперебойного питания (ИБП/UPS), сервоусилителях и мощных сварочных аппаратах
5 789,99 ₽