Транзистор SQ201
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Диоды, транзисторы
радиочастотный транзистор с частотой от 1 до 1000 МГц, мощностью 39 дБм, мощностью (Вт) 8 Вт, коэффициентом усиления по мощности (Gp) 10 дБ, КСВН 20,0:1. Метки: Фланцевый. Polyfet RF Devices
- Transistor Type VDMOS
- Technology Si
- Application Industry Aerospace & Defence, Broadcast, Wireless Infrastructure
- Application Radio, Cellular, Base Station, MRI Systems
- Frequency 1 to 1000 MHz
- Power 39 dBm
- Power(W) 8 W
- Power Gain (Gp) 10 dB
- Transconductance 0.3 MOhms
- VSWR 20.0:1
- Drain Gate Voltage 70 V
- Breakdown Voltage - Drain-Source 65 V
- Voltage - Drain-Source (Vdss) 28 V
- Voltage - Gate-Source (Vgs) 30 V
- Drain Efficiency 0.45
- Drain Current 1.8 A
- Drain Bias Current 0.2 mA
- Quiescent Drain Current 0.2 A
- Gate Leakage Current (Ig) 1 uA
- Power Dissipation (Pdiss) 30 W
- Feedback Capacitance 0.6 pF
- Input Capacitance 10 pF
- Junction Temperature (Tj) 200 Degree C
- Output Capacitance 6 pF
- Thermal Resistance 7 Degree C/W
- Package Type Flanged
- RoHS Yes
- Storage Temperature -65 to 150 Degree C
| Упаковка | Tape&Reel - лента на катушке |
| Мин.отпуск (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | POLYFET |
| Производитель(бренд) | CHINA |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.