Модуль FS75R12KE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Продажа от (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 105 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 350 W Упаковка / блок: EconoPACK 2 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C |
| Производитель | Infineon Technologies (IR) |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
Рекомендуем посмотреть
Модуль FP75R12KT3
FP75R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A
9 981,99 ₽
Модуль FF200R12KT4
FF200R12KT4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A
8 949,99 ₽
Модуль FS75R12KE3_B3
FS75R12KE3_B3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE, производитель: Infineon Technologies AG
10 150,99 ₽