Транзистор ZXTN2011ZTA

Нажмите на изображение для просмотра

ZXTN2011ZTA, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 4,5А, 2,1Вт, SOT89

Мин.отпуск (шт)	10
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 195 мВ Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 130 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1100 мВ Длина 4.6мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-база 200 В Производитель DiodesZetex Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В Тип корпуса SOT-89 Максимальное рассеяние мощности 1,5 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Минимальная рабочая температура -55 °C Ширина 2.6мм Максимальный пост. ток коллектора 4.5 A Тип транзистора NPN Высота 1.6мм Число контактов 3 Размеры 4.6 x 2.6 x 1.6мм Максимальное напряжение эмиттер-база 7 V Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 300 EU RoHS Compliant with Exemption ECCN (US) EAR99 Part Status Active HTS 8541.21.00.75 PCB changed 3 Package Height 1.6(Max) Mounting Surface Mount Lead Shape Flat Tab Tab Package Width 2.6(Max) Package Length 4.6(Max) Type NPN Product Category Bipolar Power Configuration Single Number of Elements per Chip 1 Maximum Collector Base Voltage (V) 200 Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100 Maximum Emitter Base Voltage (V) 7 Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.1@500mA@5A Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.03@5mA@0.1A\|0.06@100mA@1A\|0.115@100mA@2A\|0.195@500mA@5A Maximum DC Collector Current (A) 4.5 Minimum DC Current Gain 100@2A@2V\|30@5A@2V\|10@10A@2V\|100@10mA@2V Maximum Power Dissipation (mW) 2100 Maximum Transition Frequency (MHz) 130(Typ) Minimum Operating Temperature (°C) -55 Maximum Operating Temperature (°C) 150 Packaging Tape and Reel Automotive No Supplier Package SOT-89 Pin Count 4 Standard Package Name SOT Military No Pd - рассеивание мощности 2100 mW Вид монтажа SMD/SMT Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT Конфигурация Single Максимальный постоянный ток коллектора 4.5 A Напряжение коллектор-база (VCBO) 200 V Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V Непрерывный коллекторный ток 4.5 A Подкатегория Transistors Полярность транзистора NPN Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 130 MHz Размер фабричной упаковки 1000 Серия ZXTN2011 Технология Si Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors Торговая марка Diodes Incorporated Упаковка / блок SOT-89-3 Collector-Emitter Breakdown Voltage 100V Maximum DC Collector Current 4.5A Pd - Power Dissipation 2.1W Transistor Type NPN Вес, г 0.1
Производитель(бренд)	Diodes Incorporated

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

- по счету от юридического лица с НДС

- от физического лица переводом на карту.