Модуль FP50R12KT4

Хит!

Нажмите на изображение для просмотра

Упаковка	Bulk - россыпь
Продажа от (шт)	1
Вес	180 г
Срок поставки	Под заказ
Техническое описание	Продукт IGBT Silicon Modules Вид монтажа Chassis Mount Упаковка Tray Вес изделия 180 g ECCN EAR99 Минимальная рабочая температура 40 C Максимальная рабочая температура + 150 C Длина 107.5 mm Ширина 45 mm Высота 17 mm Упаковка / блок Econo 3 Конфигурация 3-Phase Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Pd - рассеивание мощности 280 W Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.25 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Производитель	Infineon Technologies (IR)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.