Модуль FP75R12KT3

Хит!
Модуль FP75R12KT3
Нажмите на изображение для просмотра
Юго-Восточная Азия: Доступно 99 шт
10 123,99 ₽

Категории: Модули, источники питания

УпаковкаTray (Pallete) - паллет
Продажа от (шт)1
Вес0.3 кг
Срок поставкиПод заказ
Техническое описаниеПродукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.15 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 105 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 355 W Упаковка / блок: Econo 3 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C Упаковка: Tray Высота: 17 mm Длина: 122 mm
ПроизводительInfineon Technologies (IR)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A

Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей

Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.

Рекомендуем посмотреть

FS75R12KE3_B3

Модуль FS75R12KE3_B3

FS75R12KE3_B3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE, производитель: Infineon Technologies AG

10 294,99 ₽ 

FS75R12KE3

Модуль FS75R12KE3

FS75R12KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE

9 599,99 ₽ 

BSM50GX120DN2BOSA1

Модуль BSM50GX120DN2BOSA1

BSM50GX120DN2BOSA1 Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL]

9 337,99 ₽ 

BSM50GX12ODN2

Модуль BSM50GX12ODN2

BSM50GX12ODN2 Биполярный транзистор IGBT

10 929,99 ₽ 

FS150R06KE3

Модуль FS150R06KE3

FS150R06KE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V

11 694,99 ₽