Модуль FS75R12KE3
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Модули, источники питания
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
| Упаковка | Bulk - россыпь |
| Мин.отпуск (шт) | 1 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Продукт: IGBT Silicon Modules Конфигурация: Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 105 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 350 W Упаковка / блок: EconoPACK 2 Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 125 C |
| Производитель(бренд) | Infineon Technologies (IR) |
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.
- по счету от юридического лица с НДС
- от физического лица переводом на карту.
Рекомендуем посмотреть
Модуль DDB6U180N16RRP_B37
DDB6U180N16RRP_B37 модуль силовой с траншеей/ограничителем поля IGBT4 и диодом с эмиттерным управлением 4 и термоинтерфейсом PressFIT / уже нанесенным материалом, производитель: Infineon Technologies AG
23 227,99 ₽