Транзистор SCT30N120
Нажмите на изображение для просмотра
Категории: Дискретные полупроводники, Транзисторы
| Упаковка | Tube (stick) - линейка (туба, пенал) |
| Продажа от (шт) | 10 |
| Срок поставки | Под заказ |
| Техническое описание | Технология: SiC Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: HiP-247-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1.2 kV Id - непрерывный ток утечки: 45 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 80 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 10 V, + 25 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3.5 V Qg - заряд затвора: 105 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 200 C Pd - рассеивание мощности: 270 W Канальный режим: Enhancement |
| Производитель | STMicroelectronics |
МОП-транзистор 1200V silicon carbid e МОП-транзистор
Доставка курьером по Санкт-Петербургу - 500 рублей
Доставка по России курьерской компанией СДЭК, Major - от 500 рублей. Рассчитывается менеджером при выставлении счета.